Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Муратов, Т. Т. | |
dc.contributor.author | Muratov, T. T. | |
dc.date.accessioned | 2015-08-06T04:36:05Z | |
dc.date.available | 2015-08-06T04:36:05Z | |
dc.date.issued | 2014 | |
dc.identifier.citation | Муратов, Т. Т. Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух - и трехмерных полупроводниках / Т. Т. Муратов // Вестник ЮУрГУ. Серия Математика. Механика. Физика.- 2014.- Т. 6. № 4.- С. 36-47.- Библиогр.: с. 46 (11 назв.) | ru_RU |
dc.identifier.issn | 1991-976X | |
dc.identifier.uri | http://dspace.susu.ac.ru/xmlui/handle/0001.74/5144 | |
dc.description | Муратов Темур Ташкабаевич – соискатель, кафедра методики преподавания физики, Ташкентский государственный педагогический университет имени Низами, Узбекистан. E-mail: tgpu_info@edu.uz, temur-muratov@yandex.ru. Muratov Temur Tashkabayevich is Candidate, Department of Teaching Methods in Physics, Tashkent State Pedagogical University, Tashkent, Uzbekistan. E-mail: tgpu_info@edu.uz, temur-muratov@yandex.ru | ru_RU |
dc.description.abstract | Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный резонансный уровень (~ 0, 06 мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок и два меньше чем в объемных (порядка мэВ). Это указывает на то, что область преобладания резонансного рассеяния в квазидвумерных полупроводниках менее 1 K. Зафиксировано температурное «плато» 5 ÷ 12 K в 2D спектре поглощения, соответствующее «области непрозрачности». Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. Asymptotic formulas for the broadening of absorption curve of cyclotron resonance (CR) by the resonance scattering of electrons on atomic impurities were obtained with Maxwell’s distribution being taken into account. The estimations show that the possible resonance level (~ 0, 06 meV) in quasi twodimensional semiconductors is one or two orders less than in three-dimensional semiconductors (~ 1 meV). This fact shows that the area of predominant resonance scattering in quasi-two-dimensional semiconductors is less than 1 K. The temperature plateau equal to 5÷12 K was found in 2D absorption spectrum. The applicability of the results obtained is under discussion. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.publisher | Издательский центр ЮУрГУ | ru_RU |
dc.relation.ispartof | Вестник ЮУрГУ. Серия Математика. Механика. Физика | |
dc.relation.ispartof | Vestnik Ûžno-Ural’skogo gosudarstvennogo universiteta. Seriâ Matematika. Mehanika. Fizika | |
dc.relation.ispartof | Bulletin of SUSU | |
dc.relation.ispartofseries | Математика. Механика. Физика;Том 6 | |
dc.subject | циклотронный резонанс | ru_RU |
dc.subject | уширение | ru_RU |
dc.subject | резонансное рассеяние | ru_RU |
dc.subject | асимптотические формулы | ru_RU |
dc.subject | cyclotron resonance | ru_RU |
dc.subject | broadening absorption curve | ru_RU |
dc.subject | resonance scattering | ru_RU |
dc.subject | asymptotic formulas | ru_RU |
dc.subject | УДК 537.311.33 | ru_RU |
dc.subject | ГРНТИ 29.19 | ru_RU |
dc.title | Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух - и трехмерных полупроводниках | ru_RU |
dc.title.alternative | Contribution of charged carriers resonance scattering to the broadening of cyclotron resonance absorption curve in quasi-two- and three-dimensional semiconductors | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |