Показать сокращенную информацию
dc.contributor.author | Манакова, Н.А. | |
dc.contributor.author | Васючкова, К.В. | |
dc.contributor.author | Manakova, N.A. | |
dc.contributor.author | Vasiuchkova, K.V. | |
dc.date.accessioned | 2021-06-28T04:36:32Z | |
dc.date.available | 2021-06-28T04:36:32Z | |
dc.date.issued | 2019 | |
dc.identifier.citation | Манакова, Н.А. Исследование одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике / Н.А. Манакова, К.В. Васючкова // Вестник ЮУрГУ. Серия «Математическое моделирование и программирование». - 2019. - Т. 12, № 2. - С. 150-157. DOI: 10.14529/mmp190213 | ru_RU |
dc.identifier.issn | 2308-0256 | |
dc.identifier.uri | http://dspace.susu.ru/xmlui/handle/0001.74/40242 | |
dc.description | Наталья Александровна Манакова, доктор физико-математических наук, доцент, кафедра «Уравнения математической физики», Южно-Уральский государственный университет (г. Челябинск, Российская Федерация), manakovana@susu.ru. Ксения Владимировна Васючкова, аспирант, кафедра «Уравнения математической физики:», Южно-Уральский государственный университет (г. Челябинск, Российская Федерация), vasiuchkovakv@susu.ru. N.A. Manakova1, K.V. Vasiuchkova1 1 South Ural State University, Chelyabinsk, Russian Federation, E-mails: manakovana@susu.ru, vasiuchkovakv@susu.ru | ru_RU |
dc.description.abstract | Статья посвящена исследованию задачи Коши для одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Под полупроводником мы будем понимать вещества, обладающие конечной электропроводностью, быстро возрастающей с ростом температуры. Математическая модель распределения потенциалов строится на основе полулинейного уравнения соболевского типа, дополненного условиями Дирихле и Коши. Строятся условия существования решения исследуемой модели на основе метода фазового пространства. Приводятся условия продолжимости решения по времени. The article is devoted to the research of the Cauchy problem for a mathematical model of the distribution of potentials in a crystalline semiconductor. By a semiconductor we mean a substance with finite electrical conductivity, which rapidly increases with increase in the temperature. The mathematical model of the distribution of potentials is based on the semilinear Sobolev type equation supplemented by the Dirichlet and Cauchy conditions. We use the phase space method to construct sufficient conditions for the existence of the solution to the model under study. The conditions for the continuability of the solution are given. | ru_RU |
dc.description.sponsorship | Статья выполнена при поддержке Правительства РФ (Постановление № 211 от 16.03.2013 г.), соглашение № 02.А03.21.0011. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.publisher | Издательский центр ЮУрГУ | ru_RU |
dc.relation.isformatof | Вестник ЮУрГУ. Серия Математическое моделирование и программирование | ru_RU |
dc.relation.isformatof | Vestnik Yuzhno-Ural'skogo Gosudarstvennogo Universiteta. Seriya Matematicheskoe modelirovanie i programmirovanie | ru_RU |
dc.relation.isformatof | Bulletin of SUSU | ru_RU |
dc.relation.isformatof | Ser. Mathematical Modelling, Programming & Computer Software | |
dc.relation.ispartofseries | Математическое моделирование и программирование;Т. 12 | |
dc.subject | УДК 517.9 | ru_RU |
dc.subject | уравнения соболевского типа | ru_RU |
dc.subject | математическая модель распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике | ru_RU |
dc.subject | метод фазового пространства | ru_RU |
dc.subject | квазистационарные полутраектории | ru_RU |
dc.subject | Sobolev type equations | ru_RU |
dc.subject | mathematical model of distribution of potentials in crystalline semiconductor | ru_RU |
dc.subject | phase space method | ru_RU |
dc.subject | quasi-stationary trajectories | ru_RU |
dc.title | Исследование одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике | ru_RU |
dc.title.alternative | Research of one mathematical model of the distribution of potentials in a crystalline semiconductor | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
dc.identifier.doi | DOI: 10.14529/mmp190213 |