Аннотации:
Трехмерная структура кристаллов, сформированных из слоев 3-12
фторированного графена, упакованных в стопки была найдена методом
атом-атомного потенциала. Расчеты электронных свойств СF-L3-12 кристаллов были выполнены методом теории функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. В результате расчетов было установлено, что расстояние между слоями в кристаллах, соответствующее минимуму
энергии межслоевых связей, составляет 5,7578 Å, абсолютное значение вектора сдвига соседних слоев составляет 1,4656 Å. Электронная структура
трехмерных кристаллов отличается от электронной структуры изолированных слоев 3-12 фторографена. Найденное значение ширины запрещенной зоны в объемных кристаллах составляет 3,03 эВ, что примерно на 12 %
меньше, чем в отдельном слое CF-L3-12 (3,43 эВ). Рассчитанное значение
удельной энергии сублимации кристалла 3-12 фторографена составляет
13,83 эВ/(CF), что на 0,06 эВ больше энергии сублимации изолированного
фторографенового слоя. The three-dimensional structure of crystals formed from 3-12 fluorinated graphene layers packed in
stacks was found using the atom-atom potential method. Calculations of the electronic properties of CFL3-
12 crystals were conducted using the method of density functional theory in the generalized gradient
approximation. As a result of the calculations, it was established that the distance between the layers in
crystals corresponding to the minimum energy of interlayer bonds is 5,7578 Å, and the absolute value of
the shift vector of the adjacent layers is 1,4656 Å. The electronic structure of three-dimensional crystals
differs from the electronic structure of 3-12 isolated fluorographene layers. The obtained value of the
band gap in bulk crystals is 3,03 eV, which is about 12 % less than in a separated CF-L3-12 layer
(3,43 eV). The calculated value of the specific sublimation energy of 3-12 fluorographene crystal is
13,83 eV / (CF), which is 0,06 eV higher than the sublimation energy of the isolated fluorographene
layer.
Описание:
М.Е. Беленков, В.М. Чернов, А.В. Бутаков, Е.А. Беленков
Челябинский государственный университет, г. Челябинск, Российская Федерация
E-mail: belenkov@csu.ru. M.E. Belenkov, V.M. Chernov, V.A. Butakov, E.A. Belenkov
Chelyabinsk State University, Chelyabinsk, Russian Federation
E-mail: belenkov@csu.ru