Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух - и трехмерных полупроводниках

Abstract

Получены асимптотические формулы для уширения кривой поглощения классического циклотронного резонанса (ЦР) в условиях резонансного рассеяния электронов на атомах примеси. Расчеты проведены с учетом распределения Максвелла. Оценки показывают, что возможный резонансный уровень (~ 0, 06 мэВ) в квазидвумерных полупроводниках на порядок и два меньше чем в объемных (порядка мэВ). Это указывает на то, что область преобладания резонансного рассеяния в квазидвумерных полупроводниках менее 1 K. Зафиксировано температурное «плато» 5 ÷ 12 K в 2D спектре поглощения, соответствующее «области непрозрачности». Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. Asymptotic formulas for the broadening of absorption curve of cyclotron resonance (CR) by the resonance scattering of electrons on atomic impurities were obtained with Maxwell’s distribution being taken into account. The estimations show that the possible resonance level (~ 0, 06 meV) in quasi twodimensional semiconductors is one or two orders less than in three-dimensional semiconductors (~ 1 meV). This fact shows that the area of predominant resonance scattering in quasi-two-dimensional semiconductors is less than 1 K. The temperature plateau equal to 5÷12 K was found in 2D absorption spectrum. The applicability of the results obtained is under discussion.